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STP60NF10  与  IPP180N10N3 G  区别

型号 STP60NF10 IPP180N10N3 G
唯样编号 A-STP60NF10 A-IPP180N10N3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15.5mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 71W
Qg-栅极电荷 - 25nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 20S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 43A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 10mm
下降时间 - 5ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF8010PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRF3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 23mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 57A

暂无价格 1,000 对比
AOT2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 2.1W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 6A

¥3.8776 

阶梯数 价格
1: ¥3.8776
100: ¥2.7941
500: ¥2.4051
1,000: ¥1.9
990 对比
IRFB59N10DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP180N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP180N10N3GXKSA1_100V 43A 15.5mΩ 20V 71W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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